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日本富士通株式会社王文生工程师来校访问

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发布时间:
2014-10-30
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    10月28日,应我校港澳宝典大全的邀请,日本富士通株式会社王文生工程师来校访问考察。
陈永正书记、陈国龙副校长、人事处张处长以及材料学院院领导等会见了客人,他们对王工程师的到来表示热烈欢迎,并介绍了我校对人才引进方面的支持力度和优惠政策。
    期间,王文生工程师还参观了我校材料学院实验室、校测试中心、物信学院实验室、校科技园以及校园风景,对我校在实验设备和科研方面的实力以及校园建设表示了肯定。
    当天下午,王文生工程师在材料科学楼404为广大师生做了一堂主题为“铁电存储器及最新动向”的主题报告,报告简要地介绍了富士通公司,并分别从铁电体材料的研究背景、产品创新、产品技术开发和研究动向等几个方面,向在座师生介绍了铁电存储器的相关知识和未来的发展方向,随后王文生工程师就师生提出的问题做了认真细致的回答。
    王文生工程师毕业于西安交通大学,于日本富山县立大学获得硕士和博士学位,并先后在中国科学院上海硅酸盐研究所、日本北陆电气工业株式会社、日本富士通株式会社从事研究工作。现任日本富士通株式会社系统存储器事业部专业工程师,是日本应用物理学会会员,日本定约桥牌协会会员、桥牌教师,中部日本华侨华人联合会理事。王文生工程师长期从事薄膜材料的研究,拥有173件有关铁电体存储器的授权专利,是日本和世界的高密度FRAM研究的先驱者之一。2013年作为第一个在日外国人获得日本文部科学大臣奖和第61届电子科学与工程奖,2014年作为第一完成者获得日本国家奖的作日本科学技术奖(相当于中国的国家科学技术进步一等奖)。

 

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